037 Кафедра лазерной физики
Описание:
В курсе изучается физика, технология изготовления и различные применения полупроводниковых лазеров (инжекционных и с катодно-лучевой накачкой). Кратко приводятся необходимые сведения из физики полупроводников и квантовой электроники. Рассматриваются прямые и непрямые оптические переходы в полупроводниках. Приводятся основные условия обеспечения необходимых рабочих характеристик лазеров–низкие пороги генерации, высокий КПД, рабочий ресурс. Основной упор сделан на использовании низкоразмерных наногетероструктур для совершенствования полупроводниковых лазеров. Обсуждаются основные проблемы дальнейшего развития таких лазеров
Структура:
| Семестр |
Всего (ч) (Лекц / Практ. / Лаб.) |
Аттестация |
| 1 |
108 (8 / 24 / 0) |
Экзамен |
| Итого |
108 (8 / 24 / 0) |
Экзамен |
Компетенции:
- ПК-3 - способен разрабатывать фотонное устройство на основе элементной базы, выбирать необходимое оборудование и способ контроля параметров устройства
- ПК-4 - способен к разработке функциональных и структурных схем фотоники и оптоинформатики на уровне узлов, элементов, систем и технологий
- ПК-5 - способен проектировать и конструировать в соответствии с техническим заданием типовые оптические и оптоинформационные системы
- ПК-1.5 - способен использовать знания о современных разработках и основных
применениях лазеров, о физических основах и возможностях лазерной диагностики
сред, особенностях взаимодействия лазерного излучения с биотканями и
наноструктурами в профессиональной деятельности