Физические основы технологии полупроводниковых лазеров Дисциплина[Б1.ДВ.2.6]
088 Кафедра полупроводниковой квантовой электроники и биофотоники
Структура:
Семестр
Всего (ч) (Лекц / Практ. / Лаб.)
Аттестация
3
72 (16 / 16 / 0)
Зачет
Итого
72 (16 / 16 / 0)
Зачет
Компетенции:
ПК-2 - Способен принимать участие в разработке новых методов и методических подходов в научно-инновационных исследованиях и инженерно-технологической деятельности
ПК-3 - Способен разрабатывать технические задания на проектирование технологических процессов и схем производства устройств, приборов, систем и комплексов.
ПК-4.1 - Способен применять на практике знания лазерной физики, физики полупроводников, оптики, физических основ взаимодействия излучения с веществом для качественного и количественного описания исследуемых объектов и явлений
ПК-4.3 - Способен к созданию и расчету устройств квантовой электроники и фотоники, применению их в науке, технике, промышленности и медицине
ПК-4.5 - Способен осуществлять техническое руководство проектно-изыскательскими работами при проектировании объектов, ввод в действие и освоение проектных мощностей в области квантовой электроники и фотоники
ПК-4.7 - Способен разрабатывать комплексные проекты по созданию новых приборов, устройств квантовой электроники и фотоники, и технологий их производства, с поэтапным планированием выполнения работ