Физические основы технологии полупроводниковых лазеров Дисциплина [С-Б1-ПМ.В.6]
088 Кафедра полупроводниковой квантовой электроники и биофотоники
Структура:
Семестр Всего (ч) (Лекц / Практ. / Лаб.) Аттестация
9 144 (32 / 16 / 0) Экзамен
Итого 144 (32 / 16 / 0) Экзамен
Компетенции:
  • ПК-5 - Способен принимать участие в разработке новых методов и методических подходов в научно-инновационных исследованиях и инженерно-технологической деятельности
  • ПК-6 - Способен разрабатывать технические задания на проектирование технологических процессов и схем производства устройств, приборов, систем и комплексов
  • ПК-1.2 - Способен применять на практике знания лазерной физики, физики полупроводников, оптики, физических основ взаимодействия излучения с веществом для качественного и количественного описания исследуемых объектов и явлений
  • ПК-1.4 - Способен осуществлять научное руководство исследованиями в области лазерной физики, физики конденсированного вещества, взаимодействия излучения с веществом
  • ПК-1.5 - Способен к созданию и расчету устройств квантовой электроники и фотоники, применению их в науке, технике, промышленности и медицине
  • ПК-1.6 - Способен осуществлять техническое руководство проектно-изыскательскими работами при проектировании объектов, ввод в действие и освоение проектных мощностей в области квантовой электроники и фотоники
  • ПК-1.7 - Способен разрабатывать комплексные проекты по созданию новых приборов, устройств квантовой электроники и фотоники, и технологий их производства, с поэтапным планированием выполнения работ
Задачи воспитания:
  • В18 - формирование ответственности за профессиональный выбор, профессиональное развитие и профессиональные решения
  • В19 - формирование научного мировоззрения, культуры поиска нестандартных научно-технических/практических решений, критического отношения к исследованиям лженаучного толка
  • В32 - формирование культуры безопасности при работе с лазерным излучением