Постростовая технология производства полупроводниковых лазеров Дисциплина[С-Б1-ПМ.В.9]
088 Кафедра полупроводниковой квантовой электроники и биофотоники
Структура:
Семестр
Всего (ч) (Лекц / Практ. / Лаб.)
Аттестация
10
108 (15 / 15 / 0)
Экзамен
Итого
108 (15 / 15 / 0)
Экзамен
Компетенции:
ПК-3 - Способен самостоятельно ставить конкретные задачи научных исследований в области физики и решать их с помощью современной аппаратуры и информационных технологий с использованием новейшего отечественного и зарубежного опыта
ПК-5 - Способен принимать участие в разработке новых методов и методических подходов в научно-инновационных исследованиях и инженерно-технологической деятельности
ПК-1.2 - Способен применять на практике знания лазерной физики, физики полупроводников, оптики, физических основ взаимодействия излучения с веществом для качественного и количественного описания исследуемых объектов и явлений
Задачи воспитания:
В18 - формирование ответственности за профессиональный выбор, профессиональное развитие и профессиональные решения
В19 - формирование научного мировоззрения, культуры поиска нестандартных научно-технических/практических решений, критического отношения к исследованиям лженаучного толка
В32 - формирование культуры безопасности при работе с лазерным излучением