Целями освоения учебной дисциплины являются: - ознакомление с физическими методами анализа поверхности и наноструктур их возможностями; - усвоение принципов, лежащих в основе физических методов рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, оже-электронной спектроскопии, спектроскопии рассеяния медленных ионов, сканирующей зондовой микроскопии и дифракции медленных электронов; - ознакомление с методами и приборами для решения задач по исследованию поверхности; - приобретение элементарных навыков решения практических задач. В рамках курса рассматриваются следующие темы: Средства достижения СВВ. Адсорбция на поверхности. Степень заполнения. Экспозиция. Классификация методов исследования поверхности. Фотоэффект. Измерение энергии связи. Энергия связи электрона. Метод расчета. Энергия начального и конечного состояния. Релаксация. Ширина пиков. Форма линии. Интенсивность. Вторичная структура спектров в РФЭС. Плазмонные потери. Асимметрия пиков. Индекс сингулярности. Вторичная структура спектров в РФЭС. Сателлиты встряски и стряхивания. Спин-орбитальное расщепление уровней в РФЭС. Химический сдвиг РФЭС и оже-линий. Метод оже-параметра разделения вкладов эффекта начального и конечного состояний в сдвиг энергии связи. Экспериментальное наблюдение. Спектры валентных уровней и оже-серий в РФЭС. Эффект зарядки и способы его учета. Источник рентгеновского излучения. Типы анодов. Энергоанализаторы. Виды и характеристики. Физические основы. Кинематический фактор. Сечение рассеяния в СРМИ. Потенциалы межатомного взаимодействия. Нейтрализация ионов в спектроскопии рассеяния медленных ионов. Конус затенения. Спектроскопия рассеяния медленных ионов. Структурные эффекты. Спектроскопия рассеяния медленных ионов. Разрешение по массе. Физические основы. Туннелирование электрона. Туннельный ток. Топографический и спектроскопический режимы работы сканирующего туннельного микроскопа Атомно-силовая микроскопия. Принцип действия. Условие дифракции. Сфера Эвальда. Дифракция медленных электронов. Общая схема установки.