Спецпрактикум по физике и технологии наногетероструктурной электроники Дисциплина [Б1-ПМ.В.2]
067 Кафедра физики конденсированных сред
Структура:
Семестр Всего (ч) (Лекц / Практ. / Лаб.) Аттестация
8 72 (24 / 24 / 0) Зачет
Итого 72 (24 / 24 / 0) Зачет
Компетенции:
  • ПК-3 - Способен анализировать и систематизировать результаты исследований, определять степень достоверности результатов экспериментальных исследований, сопоставлять полученные результаты с мировым уровнем, представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций, баз данных
  • ПК-5 - Способен выполнять расчет и проектирование отдельных узлов или элементов электронных приборов, схем и устройств определенного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования
  • ПК-8 - Способен выполнять постановку и эксплуатацию определенного технологического процесса или блока технологических операций по производству материалов и изделий электронной техники
  • ПК-9 - Способен выполнять определенный тип измерительных или контрольных операций при исследовании параметров полупроводниковых приборов и устройств или в технологическом процессе по производству материалов и изделий электронной техники
  • ПК-10 - Способен к модернизации существующих и внедрению новых методов и оборудования для измерений параметров наноматериалов и наноструктур
  • ПК-17 - Способен оценивать эффективность внедрения новых методов и способов измерения или проектирования или изготовления материалов или изделий электронной техники
Задачи воспитания:
  • В19 - формирование научного мировоззрения, культуры поиска нестандартных научно-технических/практических решений, критического отношения к исследованиям лженаучного толка
  • В20 - формирование навыков коммуникации, командной работы и лидерства
  • В21 - формирование способности и стремления следовать в профессии нормам поведения, обеспечивающим нравственный характер трудовой деятельности и неслужебного поведения
  • В36 - формирование коммуникативных навыков в области разработки и производства полупроводниковых изделий