Цель дисциплины- обеспечить формирование фундаментальных и практических компетенций в области физических принципов работы, характерных конструкций, основных свойств основных устройств и приборов твердотельной оптоэлектроники на основе полупроводниковых наногетероструктур. Курс базируется на знании физической оптики, физики твердого тела и полупроводников, оптики полупроводниковых нано- и гетероструктур, твердотельной фотонике. Студенты знакомятся с основными физическими эффектами в области оптики полупроводниковых структур, принципами создания и конструкциями основных приборов оптоэлектроники для генерации, преобразования и детектирования оптического излучения. Обсуждаются элементы слоевых конструкций и топологий, основные свойства и особенности использования. Однако, технология создания данных типов приборов не рассматривается в данном курсе, а выделена в отдельную дисциплину - Технологические основы фотоники. В результате студенты овладевают фундаментальным и практическим базисом, владеют современным уровнем развития оптоэлектроники.