Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Язык обучения: русский
Форма обучения: очная
Продолжительность: 4 года
Возможность бесплатного обучения: есть

Документ об образовании, степень или квалификация: Исследователь. Преподаватель-исследователь

Научная специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств 

Цели программы

Целевая подготовка специалистов для организаций ГК Росатом, институтов РАН, НИЦ «Курчатовский институт», предприятий производителей и разработчиков электронной компонентной базы микро- и наноэлектроники, специализированной и радиационно-стойкой электроники, в т.ч. СВЧ электроники на основе гетероструктур, таких как предприятий холдинга ОАО «Российская электроника», кадровая и исследовательская поддержка ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники».

Область профессиональной деятельности:

• исследования и разработки новых гетероструктурных полупроводниковых материалов на основе А3В5, SiC, графена и алмаза;
• исследования и разработки в области современных нанотехнологий электроники для создания электронной компонентной базы, в т.ч. планарная технология формирования многослойной металлизации, плазмохимические технологии осаждения и травления диэлектрических покрытий, нанолитография, атомно-слоевое осаждение, кластерная планаризация;
• исследования и разработки в области токопереноса и излучательных процессов в органических полупроводниковых структурах;
• проведение экспериментальных исследований в области перспективных приборов микро- и наноэлектроники, функциональной электроники, в т.ч. работающих на новых принципах – спинтроники, одноэлектроники, функциональной электроники;
• разработка математических моделей функционирования и параметров электронных приборов, в т.ч. с учетом процессов рассеяния и баллистических процессов в короткоканальных нанотранзисторах;
• квантовый дизайн полупроводниковых гетероструктур и приборов СВЧ электроники – нанотранзисторов, резонансно-туннельных диодов и т.д.;
• разработка технологий эпитаксиального роста гетероструктур для СВЧ, силовой, функциональной и оптоэлектроники, сенсоров магнитного поля, температуры;
• исследования в области физики радиационного воздействия и воздействия тяжелых заряженных частиц на материалы и электронные приборы;
• моделирование и проектирование радиационно-стойкой электронной компонентной базы кремниевой, кремний-на изоляторе и гетероструктурной электроники;
• проектирование специализированных микроконтроллеров.

Объекты профессиональной деятельности

• Материалы СВЧ, функциональной и оптоэлектроники: гетероструктуры полупроводников А3В5, наноматериалы, органические полупроводниковые структуры.
• Полевые транзисторы Шоттки, транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур, оптоэлектронные приборы, электронная компонентная база ТГц (терагерцового) диапазона длин волн.
• Монолитные интегральные схемы СВЧ.
• Технологии создания электронной компонентной базы.
• Технологии проектирования электронной компонентной базы.
• Элементная база терагерцовой электроники – излучатели и детекторы.

Перечень предприятий для прохождения практики и трудоустройства выпускников

• организациях Госкорпорации «Росатом»: Центре наноструктурной электроники НИЯУ МИФИ, РНЦ «Курчатовский институт», ФГУП «Научно-исследовательский Институт Измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»;
• институтах академии наук России: ФИАН им. П.Н. Лебедева, Институте Радиоэлектроники РАН, Физико-технологическом институте РАН, Институте СВЧ Полупроводниковой Электроники РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН;
• предприятиях промышленности в области электроники:
• концерне радиостроения «ВЕГА», НПП ОКБ «Планета», ФГУП НИИ «Пульсар», ФГУП Государственный завод «Пульсар», ОАО «НИИМЭ и Микрон».